2N7002K 72K中文资料

这款HEXFET功率MOSFET专为等离子显示屏（PDP）的维持、能量回收和通路开关应用而设计。该MOSFET采用了最新的工艺技术，以实现每单位硅面积的低导通电阻和低脉冲能量额定值。这款MOSFET的其他特性包括175°C的工作结温和高重复峰值电流能力。这些特性相结合，使该MOSFET成为PDP驱动应用中高效、耐用且可靠的器件。